urn-on and turn-off gate losses. Most of the power is in the MOSFET gate driver. Gatedrive losses are frequency dependent and are also a function of the gate capacitance of the MOSFETs. When turning the MOSFET on and off, the higher the switching frequency, the higher the gate-drive losses. This is another reason why efficiency goes down as the switching frequency goes up.
面試官問的面試題:CVTE電源工程師面試題
(1)說說你的項(xiàng)目,你具體負(fù)責(zé)那一塊?
(2)說說比較器和放大器的區(qū)別?
(3)過零檢測(cè)與軟件過零有何優(yōu)缺點(diǎn)?
1、mos的米勒平臺(tái)是如何形成的?
2、開關(guān)為什么一般選用MOS而不是三極管?mos與三極管的區(qū)別
3、比較器與放大器的區(qū)別
cvte電源工程師面試題
1、mos的米勒平臺(tái)是如何形成的?
2、開關(guān)為什么一般選用MOS而不是三極管?mos與三極管的區(qū)別
3、比較器與放大器的區(qū)別
技術(shù)1面,電話面試,問運(yùn)算放大器的基本特性:虛短虛斷,問正弦逆變電源的mos管開關(guān)周期,問趨膚效應(yīng)什么意思。
面試官問的面試題:CVTE電源工程師面試題
問運(yùn)算放大器的基本特性:虛短虛斷,問正弦逆變電源的mos管開關(guān)周期,問趨膚效應(yīng)什么意思。
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